[弱い電界に対する細胞の応答：熱雑音リミット] tech./dosim.

＜目的＞ 弱い電界への細胞の応答の機序を明らかにするため，熱雑音モデルを取り上げて応答いき値電界レベル等を明らかにする． ＜方法＞ 細胞膜を介しての様々な現象について，外部から加える電界は熱雑音以上のレベルが加わらなければ応答は生じないという前提で組み立てている．電気現象で観察されるNyquist雑音を参考にし，細胞を抵抗RとキャパシタンスCの並列回路として捕らえ，細胞の形状を球，円筒として応答最小いち値電界を求める．この時，熱雑音との比較がなされ，酵素を対象にした実験結果でその正当性を述べている． ＜結果＞ 表１に実験結果と本理論でのいき値予測を示している．また膜結合酵素を対象にした作用機序を仮定（図１，２）して，本モデルを適用させると図３のような結果が指摘できる．このような結果から熱雑音との対比で電界が作用を及ぼすいき値を導き出している．