研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[異なる磁束密度の50 Hz磁界の細胞遺伝学的影響] med./bio.

Cytogenetic effects of 50 Hz magnetic fields of different magnetic flux densities.

掲載誌: Bioelectromagnetics 2000; 21 (8): 589-596

この研究は、ヒト末梢血リンパ球を用いて、50Hz磁界の単独ばく露、または化学突然変異誘発物質マイトマイシンCまたはX線との組み合わせばく露後に細胞遺伝学的調査を実施した。その結果、2500 μTまでの磁界は、染色体異常および姉妹染色分体交換頻度に有意な影響を与えなかった;組み合わせばく露において、ELF磁界突然変異原の間の相乗的、増強的、または拮抗的効果の存在は何も示されなかった;2つの例外が見られた(培養前および培養中に504 μTばく露を受けた細胞での姉妹染色分体交換頻度の有意な減少; 88.4μT存在下のX線照射群での、X線照射単独群に比べた染色体異常頻度の有意な増加)、と報告している。

研究目的(著者による)

このイン・ビトロでの研究は、ヒト血液リンパ球に対する超低周波磁界の(共)変異原効果とその量依存性応答を調査するために実施した。

詳細情報

21人の健康な男女の提供者の血液からリンパ球を単離し、磁界に単独ばく露、または変異原のマイトマイシンC(0.1µg/ml)またはエックス線に共ばく露した。

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 50 Hz
ばく露時間: during entire cultivation time
EMF exposure only
  • 磁束密度: 2,500 µT maximum (62.8, 80, 88.4, 504, 1061, 1750, 2500 µT)
ばく露2: 50 Hz
ばく露時間: 30 min up to entire cultivation period
EMF exposure + MMC
  • 磁束密度: 1,750 µT maximum (88.4, 504, 1061, 1750 µT)
ばく露3: 50 Hz
ばく露時間: entire cultivation period
EMF + X-rays; x-irradiation prior to cultivation
  • 磁束密度: 1,750 µT maximum (88.4, 504, 1061, 1750 µT)
ばく露4: 50 Hz
ばく露時間: 2 h continuous
EMF + X-rays; first exposure to EMF, then to X-rays, then 48 h cultivation

General information

Experiments were done in three groups: i) EMF exposure only ii) EMF exposure + Mitomycin C iii) EMF exposure + X-rays

ばく露1

主たる特性
周波数 50 Hz
タイプ
  • magnetic field
ばく露時間 during entire cultivation time
Additional information EMF exposure only
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • コイル
  • cylindrical exposure unit: 42 cm long, 20 cm inner diameter
ばく露装置の詳細 380 turns of 1 mm² wire
Sham exposure A sham exposure was conducted.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 2,500 µT maximum 測定値 - 62.8, 80, 88.4, 504, 1061, 1750, 2500 µT

ばく露2

主たる特性
周波数 50 Hz
タイプ
  • magnetic field
ばく露時間 30 min up to entire cultivation period
Additional information EMF exposure + MMC
Additional information the following combinations where examined (were x stands for the applied magnetic field strength): i) 0 µT + 0 µg/ml MMC (sham) ii) 0 µT + 0.1 µg/ml MMC (cells were exposed to MMC for 2 h prior to cell cultivation) iii) 0 µT + 0.1 µg/ml MMC (cells were exposed during the entire cultivation time) iv) x µT (30 min before cultivation) + 0 µg/ml MMC v) x µT (30 min before cultivation) + 0.1 µg/ml MMC (during cultivation) vi) x µT (during cultivation time) + 0 µg/ml MMC vii) x µT (during cultivation time) + 0.1 µg/ml MMC (only for 2 h before cultivation) viii) x µT + 0.1 µg/ml MMC (both during cultivation time)
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • E1と同じ装置
Sham exposure A sham exposure was conducted.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 1,750 µT maximum 測定値 - 88.4, 504, 1061, 1750 µT

ばく露3

主たる特性
周波数 50 Hz
タイプ
  • magnetic field
ばく露時間 entire cultivation period
Additional information EMF + X-rays; x-irradiation prior to cultivation
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • E1と同じ装置
Additional information x-irradiation: 1 Gy per min
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 1,750 µT maximum 測定値 - 88.4, 504, 1061, 1750 µT

ばく露4

主たる特性
周波数 50 Hz
タイプ
  • magnetic field
ばく露時間 2 h continuous
Additional information EMF + X-rays; first exposure to EMF, then to X-rays, then 48 h cultivation
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • E1と同じ装置
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 1,750 µT maximum 測定値 - 80, 504, 1060, 1750 µT

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

7つの磁束密度での超低周波磁界への単独ばく露は、染色体異常及び姉妹染色分体交換頻度に有意に影響しなかった。
全体として、共ばく露された細胞には共変異原効果は認められなかった。但し、細胞培養前及び培養中に共ばく露された細胞マイトマイシンC処理、504µT)では、姉妹染色分体交換頻度の統計的に有意な減少が認められた。また、エックス線照射後に88.4µT磁界の存在下で細胞培養した場合、エックス線の単独照射と比較して、染色体異常頻度の有意な増加が認められた。

研究の種別:

研究助成

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