静電磁界による心臓インプラントの障害についての femu の論文

femu による論文「静電界および静磁界による植込み型心臓血管電子機器の障害」が、専門誌 Expert Review of Medical Devices に掲載されました。この研究の目的は、静電界および静磁界による心臓インプラントの電磁障害（EMI）の閾値を決定することでした。文献検索の結果、静磁界による4つの障害のメカニズムが明らかになり、静電界については認められませんでした。静磁界内での動作に由来するEMIについての情報はほとんどなかったことから、閾値を得るために数値シミュレーションを実施しました。その結果、磁気安全スイッチ（MSS）が起動する0.8 mT未満では、動作に由来するEMIは生じてはならない、ということが示されました。著者らは、MSSの起動は静磁界に対して最も重要なメカニズムである、と結論付けています。

この論文は、EMF-Portal、PubMed および Expert Review of Medical Devices のウェブサイトで確認できます。