Specific absorption rate in a standard phantom containing a Deep Brain Stimulation lead at 3 Tesla MRI Gerät/Impl.

[Spezifische Absorptionsrate in einem Standardphantom mit einer Elektrode für die tiefe Hirnstimulation bei 3-Tesla-MRT]

Veröffentlicht in: 2013 6th International IEEE/EMBS Conference on Neural Engineering (NER), San Diego, CA, USA. IEEE, 2013: 747-750; ISBN 978-1-4673-1969-0

Exposition