この研究では、英国のレディングに設定した40箇所の定点（発生源に対して種々に位置した屋外38箇所、屋内2箇所）における各種発生源からのRF電磁界ばく露を特徴付け、携帯電話用の高速通信規格の一つであるLTEへの最悪ケースのばく露を推定するための外挿法を提案している。その結果、電界強度測定値は全てICNIRPの参考レベルを満たし、また全体のばく露に対するLTEの寄与は平均で0.4%に限定されることが示された。LTEばく露について外挿された電界の最大値は1.9V/mで、電界についてのICNIRPの参考レベルの32分の1であることが示されている。
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