[1.5T磁気共鳴スキャナ内でばく露を受ける一般的な脳深部刺激インプラントのRF加熱の評価] dev./impl.

この研究は、深部脳刺激装置（DBS:直線型およびヘリカル型のリード線が付属する）が植え込まれた脳モデルが1.5 Tの核磁気共鳴装置（MRI）のスキャンを受けた場合、DBSの導電性部分とのRF結合により生じる組織の加熱を数値計算した。ここでは、インプラントのMRスキャン中の安全性を検証するための、実験と理論を組み合わせた手法を基本にしつつ、新たに採用した4階層化アプローチの長所と短所を明らかにすることを目的としている。その結果、このアプローチは技術的に利用可能で、インプラントの加熱可能性に関する適切で、安全側に立った情報を各階層に応じて適宜提供することが示されたと報告している。特に、実際のMRスキャンを評価した階層での計算結果を示すと、現行のDBSに対するMRスキャン制限（脳での平均SAR 0.1 W/kg）下でのスキャンにおいてリード線に生じる加熱は直線部分で3.5℃以下、ヘリカル部分で0.7℃以下であった、と報告している。