[神経細胞の酸化ストレスとアポトーシスの抑制によるセボフルランの電磁パルス脳傷害に対する神経保護作用] med./bio.

Neuroprotective effects of sevoflurane against electromagnetic pulse-induced brain injury through inhibition of neuronal oxidative stress and apoptosis

著者: Deng B, Xu H, Zhang J, Wang J, Han LC, Li LY, Wu GL, Hou YN, Guo GZ, Wang Q, Sang HF, Xu LX
掲載誌: PLoS One 2014; 9 (3): e91019
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この研究は、虚血性傷害から脳を保護するセボフルランが、電磁パルス（EMP）ばく露（ピーク強度400 kV/ m、立ち上がり時間10 ns、パルス幅350 nsのパルスを200発）によるSDラットの脳への傷害にどのように影響するかを調べた。実験は各群6匹で行った。セボフルランの保護作用は、脳組織標本のNissl染色、Fluoro-Jade C染色、および電子顕微鏡により調べた。EMPによる神経行動学的影響はオープンフィールド試験、モーリス水迷路試験により評価した。またインビトロ実験として、大脳皮質神経細胞の初代培養株にEMPパルスばく露を与え、様々な濃度のセボフルランを投与して培養した後、生存率、LDH放出、SOD活性、MDAレベルを測定し、アポトーシスマーカの発現を測定した。その結果、EMPばく露したラットの大脳皮質神経細胞は神経学的な異常を示した；セボフルランは、そのような神経細胞への影響および学習、記憶の障害を軽減した；インビトロ実験では、ばく露により生存率低下、LDH放出増加が見られたが、セボフルラン処置によりその影響が緩和された、などを報告している。

ばく露