この研究は、インシュリンの立体配座完全性に対する外部電界の影響を研究するために、種々の電界中に置かれたウシのインシュリン単量体について、1マイクロ秒までの時間尺度で分子動態（MD）シミュレーションを行った。その結果、0.15V/nm以下の外部電界下ではインシュリンの2次構造は維持されるが、0.25 V/nmかそれ以上では2次構造の破壊が観察された；0.15 - 0.60 V/nmの間では、破壊が始まるまでの時間は電界強度と明瞭に相関しなかったものの、ばく露時間の累積効果はインシュリン2次構造へのダメージの主な原因であることがシミュレーションで示された、などを報告している。
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