[脳組織のRF ばく露に対する受話器位置の影響の分析] tech./dosim.

この研究は、携帯電話電磁界の脳ばく露に対する受話器位置の影響をシミュレーション計算で分析した。携帯電話2機種（GSM900および1800MHz）、受話器位置80通り（代表性のあるものを選択するために、ラテン超方格サンプリングに基づき実験的に選んだ）につき、頭部の10g平均SAR（SAR10g）、脳の1g平均SAR（SAR1g）、脳の各構造の平均SARを推定した。その結果、脳内SAR分布は、受話器の頭部に対する相対的位置の影響を受けやすいことが示された；80通りの位置の5-10%において、頭部のSAR10g、脳のSAR1gが標準的頬の位置に比べ、20%高くなった；人体モデルSAMは、80通りの位置の95%において安全側に立った結果を示した､と報告している。