[重畳磁界によってTE-85骨肉腫細胞でのIGF-IIレセプター数が増加する] med./bio.

ヒトの骨肉腫に由来するTE-85骨芽様細胞を、インシュリン様成長因子受容体の調整に対する制御された静磁界と組合わせた低周波磁界（CMF）の影響を評価するのに用いた。培養には、15.3HzのCMFを加え、培養媒質に計算した最高電位、10-5V/mを誘導した。TE-85細胞の最初の特徴は、a)インシュリン様成長因子（IGF-I）と（IGF-II）の受容体と、b)IGF刺激細胞の増殖の量依存性が膜の結合部位（受容体は、ナノモル濃度で解離常数を持つ）に結合しているIGFの親和性と同等である。CMFばく露は、CMFを30分加えると、IGF-Iの受容体数に影響せずに周波数に依存した形でIGF-II受容体数を増加させる。IGF-II受容体数でCMF依存した形での増加は、IGF-II解離定数の増加と関係する。これらの結果は、細胞膜の受容体レベルは低エネルギー、低周波磁界への短期ばく露で影響を受け、これらの結果は骨形成や再構成に対する電磁界影響の生化学的メカズムを示唆している。