[超高密度アクセスネットワークの一部であるアットセル付近での無線周波ばく露] tech./dosim.

この研究は、無線周波（RF）電磁界ばく露に関してアットセルの使用に要求される適切なコンプライアンス評価を初めて公表した。3.5 GHz、出力1 mWのアットセルを、電界強度二乗平均平方根（Erms）および10 g平均比吸収率ピーク値（SAR10g）に基づき評価した。アットセル近傍のErmsは、FDTD法シミュレーションおよび3軸プローブでの測定により決定された。SAR10gについては、均一ファントムでの測定およびFDTDシミュレーション、および不均一ファントムを用いた現実的ばく露のFDTDシミュレーションを実施した。その結果、アットセル上方のErmsの全ての測定値および計算値は5.9 V/m以下であり、参考レベルを下回った；均一ファントムでのSAR10gの測定値は9.7 mW/kg、計算値は7.2 mW/kg.であったが、不均一ファントムでのSAR10g計算値は2.8 mW/kgを下回った；アットセルの使用はRF個人ばく露を大きく増加させないことが示された､と報告している。