GSM携帯電話の1800 MHz無線周波（RF）信号に3分間ばく露した培養神経細胞における発火率及びバースト率の減少が先行研究で報告されていることから、この研究は、この影響の量‐反応関係を評価し、パルス変調GSM及び連続波のRF電磁界による応答の違いを同定することを目的とした。ラットの胚性皮質由来の培養神経細胞の自発的なバースト活性を、電極が60個の多電極アレイを用いて記録した。培養神経細胞をイン・ビトロで17-28日目に、比吸収率（SAR）0.01-9.2 W/kgのRFに15分間ばく露した。その結果、GSM及び連続波信号のいずれについても、ばく露期間中にバースト率の明確な減少が見られた。この影響はSARが高いほど顕著で、最も高いSARレベルではばく露終了後も持続した。更に、影響の振幅はGSM信号でより大きかった。これらの知見は全体として、培養神経細胞のバースト率に対するRF信号の量依存性の影響の証拠を示しており、非熱的な作用機序の一部を示唆するものである、と著者らは結論付けている。
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