[垂直オープンボアMRIスキャナーは埋め込まれたリード線の周囲に生じる高周波加熱が大幅に少ない：1.2 T OASISスキャナーと1.5 T水平システムでの脳深部刺激インプラントの研究]
dev./impl.
Vertical open-bore MRI scanners generate significantly less radiofrequency heating around implanted leads: A study of deep brain stimulation implants in 1.2T OASIS scanners versus 1.5T horizontal systems
著者:
Kazemivalipour E, Bhusal B, Vu J, Lin S, Nguyen BT, Kirsch J, Nowac E, Pilitsis J, Rosenow J, Atalar E, Golestanirad L
