[早産時の睡眠パターンに対する高周波電磁界ばく露の影響力] med./bio.

この研究的は、早産新生児の睡眠パターンに対する高周波（RF）電磁界の影響を調べた。著者らは、RF電磁界ばく露レベルの上昇が乳児の睡眠構造パラメータを変えるという仮説を立てた。入院中の早産新生児29人において、生後21日目までのRFレベルの測定を個別に連続的に実施した。最終日には、睡眠ポリグラフィーで一晩の睡眠構造を記録した。慢性（3週間）および急性（睡眠ポリグラフィー期間）のRFレベルと睡眠パラメータの関連を計算した。その結果、中央値のレベルでは、主な慢性的影響は、RFばく露に伴う明確でない睡眠の増加であった。この研究における最も高いばく露レベルでは、RFレベルの上昇が睡眠の断片化を増加させた。急性RFレベルと睡眠パラメータとの有意な関連は認められなかった。この研究では、睡眠構造の統合的な混乱は認められなかったが、早産新生児において慢性的なRFばく露に対して一部の睡眠パラメータがある程度の感受性を持つようであることが初めて示された。この結果を確認し、中長期の睡眠に関連する心肺および神経発達の結果を検討するため、更なる研究が必要である、と著者らは結論付けている。