この研究は、マイクロ波放射が、弱いELF電磁界と同様な、細胞増殖に対する影響を持つか否かを調べた。実験には、960 MHzのGSM信号をシミュレーションした電磁界を用いた。マイクロタイタープレートにて増殖中の細胞培養物（形質転換されたヒト上皮羊膜細胞（ＡＭＡ））に、ＴＥＭセル内でばく露を与えた。各細胞ウェルのＳＡＲ値を計算した。ばく露条件は、3つの異なる電力レベルおよび3つの異なるばく露時間を用いた。その結果、ばく露群では、対照群および擬似ばく露群に比べ、細胞増殖が低下した；ばく露後の細胞増殖は、さまざまなSARレベルおよびばく露時間の長さによって変動した；その一方、ばく露期間を反復しても、影響の変化はないようであった；電力レベルと増殖の変化の間には全体的な線形相関があったが、影響が最大となるばく露時間は、種々の電力レベルにおいて同じではなかった；低電力レベルでは、高電力レベルに比べ、影響が最大となるまでのばく露時間が長いことが示された；同様の現象を、著者らはELF電磁界の研究で確認している、と報告している。
| ばく露 | パラメータ |
|---|---|
|
ばく露1:
960 MHz
Modulation type:
pulsed
ばく露時間:
continuous for 20, 30 and 40 min
|
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ばく露2:
50 Hz
ばく露時間:
continuous for 10, 20, 30, 40 and 45 min
|
|
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ばく露3:
50 Hz
ばく露時間:
continuous for 10, 20, 30 and 40 min
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| 周波数 | 960 MHz |
|---|---|
| タイプ |
|
| 特性 |
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| ばく露時間 | continuous for 20, 30 and 40 min |
| Modulation type | pulsed |
|---|---|
| Duty cycle | 12 % |
| Repetition frequency | 217 Hz |
| Pulse type | rectangular |
| Additional information |
simulation of a GSM signal |
| ばく露の発生源／構造 | |
|---|---|
| チャンバの詳細 | incubator |
| ばく露装置の詳細 | The cells were seeded into the two central rows (#6 and #7, A-H) of 96-well microtiter plates (flat bottom) in 100 µl of culture medium. |
| Additional information | In the sham exposure experiments, the cell cultures were kept for 30 min in the exposure chamber with the field turned off. |
| 周波数 | 50 Hz |
|---|---|
| タイプ |
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| ばく露時間 | continuous for 10, 20, 30, 40 and 45 min |
| ばく露の発生源／構造 |
|
|---|---|
| チャンバの詳細 | incubator |
| ばく露装置の詳細 | The magnetic fields were generated by Helmholtz coils, 12 x 13 cm, 9 cm apart, 2 x 10 turns of 1 mm copper wire and a copper screen. One pair for AC and three orthogonal pairs to change the static field. The coils were wound around a square plastic container placed inside the incubator. The experimental setup has been described before in the reference article. |
| Additional information | Because measurements of each cell showed that the field in both outermost horizontal rows was different from those in the centre, only results from rows B-G were included. |
| 測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|
| 磁束密度 | 20 µT | unspecified | 測定値 | - | - |
対照及び偽ばく露細胞と比較して、ばく露された細胞の成長は低下した。ばく露後の期間の細胞増殖は、各種のSARレベル及びばく露期間の長さによって異なっていた。低電力レベルではより高い電力レベルと比較して、より長いばく露期間で最大の影響に最初に達した。同様の現象が、弱い電磁界についての研究でも記録されている。
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