研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[電界ばく露によるヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ遺伝子の突然変異の増加] med./bio.

Increase in hypoxanthine-guanine phosphoribosyl transferase gene mutations by exposure to electric field.

掲載誌: Life Sci 2001; 68 (9): 1041-1046

この研究は、著者らの先行研究の続報である。先行研究は、ELF磁界(400 mT)ばく露により、ヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT遺伝子突然変異が増加すると報告した。これらの変異に磁界MF)、電界(EF)、またはその両方が関与するか否かは不明であった。そこで今回の研究は、EFばく露用の新しい装置を製作して実験した。その結果、EF(10 V / m、60 Hz)に10時間ばく露したチャイニーズハムスター卵巣(CHO)細胞において、HPRT遺伝子突然変異の増加が観察された;EFばく露群での突然変異頻度は、擬似ばく露での頻度の約2倍であった、と報告した。したがって、先行研究で観察された400 mT変動磁界誘導された突然変異の一部は、誘導電界による可能性が示唆されたと考察している。

研究目的(著者による)

本研究は、電界磁界またはその両方へのばく露によって生じる、ヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT遺伝子突然変異の増加に関する、先行研究(publication 2074 参照)の結果を調査するために実施した。

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 60 Hz
ばく露時間: 10 h (exposed or sham exposed)

ばく露1

主たる特性
周波数 60 Hz
タイプ
  • electric field
波形
  • sinusoidal
ばく露時間 10 h (exposed or sham exposed)
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • three platium electrodes
チャンバの詳細 15 cm diameter dish
ばく露装置の詳細 electrodes with plastic holders installed in a dish in CO2 incubator
Additional information for sham exposure, the potential remains at 0 mV.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
電界強度 10 V/m maximum 測定値 - -

Reference articles

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

電界ばく露によるHPRTの突然変異頻度は偽ばく露の約2倍であった。
これらのデータは、先行研究で観察されたHPRT遺伝子突然変異の増加は、部分的には、誘導電界によって生じたことを示唆するものである。

研究の種別:

研究助成

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