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キーワード: Wells, ウェル

• 2011, Ahmed Z, Wagdy M, Benjamin M, Mohamed S, Mohamed H, Ahmed S, Kanjilal B, Wieraszko A
  [マウスの脊髄損傷後の機能回復に対する曲芸的運動と磁界ばく露の治療効果] [med. app.]
  Bioelectromagnetics 32 (1): 49-57
• 2011, Shum M, Kelsh MA, Sheppard AR, Zhao K
  [技術者および科学者の一群における携帯電話使用申告情報の料金請求記録との比較による評価] [tech./dosim.]
  Bioelectromagnetics 32 (1): 37-48
• 2011, Emre M, Cetiner S, Zencir S, Unlukurt I, Kahraman I, Topcu Z
  [詳細] [磁界ばく露に関連した酸化ストレスとアポトーシス] [med./bio.]
  Cell Biochem Biophys 59 (2): 71-77
• 2011, Schüz J, Elliott P, Auvinen A, Kromhout H, Poulsen AH, Johansen C, Olsen JH, Hillert L, Feychting M, Fremling K, Toledano M, Heinävaara S, Slottje P, Vermeulen R, Ahlbom A
  [携帯電話使用者と健康に関する国際的な前向きコホート研究（COSMOS）：調査デザインと登録] [tech./dosim.]
  Cancer Epidemiol 35 (1): 37-43
• 2011, Collard JF, Mertens B, Hinsenkamp M
  [詳細] [ヒト表皮細胞での遺伝子発現に対するELF電界の影響に関するイン・ビトロ研究] [med./bio.]
  Bioelectromagnetics: 28-36
• 2011, Wilmink GJ, Rivest BD, Roth CC, Ibey BL, Payne JA, Cundin LX, Grundt JE, Peralta X, Mixon DG, Roach WP
  [詳細] [2.52THz放射ばく露を受けたヒト真皮線維芽細胞に随伴する生物学的影響のイン・ビトロ研究] [med./bio.]
  Lasers Surg Med 43 (2): 152-163
• 2011, Schauerte P, Pekassa M, Rackauskas G, Schwinger RH, Weis J, Weber C, Marx N, Rana OR
  [詳細] [交感神経ニューロンは神経突起伸長を制御するために神経成長因子前駆体変換を介してMMP-2およびMT1-MMPを発現および分泌する] [med./bio.]
  Cell Mol Neurobiol 31 (1): 17-25
• 2011, Heinrich S, Thomas S, Heumann C, von Kries R, Radon K
  [詳細] [若い人々の慢性的な安寧に対する無線周波電磁界ばく露のインパクト‐個人ドシメトリに基づく横断的研究] [epidem.]
  Environ Int 37 (1): 26-30
• 2011, Dimida A, Ferrarini E, Agretti P, De Marco G, Grasso L, Martinelli M, Longo I, Giulietti D, Ricci A, Galimberti M, Siervo B, Licitra G, Francia F, Pinchera A, Vitti P, Tonacchera M
  [詳細] [電気および磁界はFRTL-5細胞の生化学的特性を変えない] [med./bio.]
  J Endocrinol Invest 34 (3): 185-189
• 2010, Zradziński P
  Ergonomically Realistic Assessment of Hazards Related to Electromagnetic Fields Exposure While the use of Welding Devices [tech./dosim.]
  9th International Symposium on EMC Joint with 20th International Wroclaw Symposium on EMC, EMC Europe 2010, Wroclaw, Poland. IEEE: pp. 159-162; ISBN 978-83-7493-426-8