この研究は、ヒトリンパ球のDNAに対する低周波(50 Hz)のパルス電界の影響を調べた。追加的な外部因子(過酸化水素(H2O2)およびガンマ線照射)の影響、さらには、このようなばく露を受けたリンパ球における修復効率も評価した。単一細胞レベルでDNA損傷を検出するための高感度で迅速な方法であるコメットアッセイを用いた。その結果、電界ばく露群では、対照群と比較して、かなり大量の損傷が観察された;37 ℃で2時間のインキュベーション後に損傷の一部が修復された;H2O2およびガンマ線照射は、パルス電界ばく露を受けたリンパ球に対する損傷を用量依存的に増加させたが、修復の量は損傷に比例した、と報告している。
ばく露 | パラメータ |
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ばく露1:
10–50 Hz
Modulation type:
pulsed
ばく露時間:
continuous for 120 min
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周波数 | 10–50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 120 min |
ばく露の発生源/構造 |
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チャンバの詳細 | Thawed lymphocytes suspended in ice cold PBS were exposed in microcentrifuge tubes at 5 ± 0.5°C. |
ばく露装置の詳細 | Using network electricity, short-duration pulses were transformed into high voltage. |
Additional information | Lymphocytes were also exposed to 0, 50, 100, or 150 µmol/l H2O2 or to 0, 0.8, 2.5, or 4.2 Gy γ radiation from a 60Co source at a dose rate of 3.99 Gy/min after being treated or not with the pulsed electric field. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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電界強度 | 400 kV/m | unspecified | 指定なし | - | - |
対照と比較して、電界ばく露後にDNA損傷の有意な増加が認められた。37℃で2時間のインキュベート後、損傷の比率は修復された。
過酸化水素及びガンマ線は、用いた量に応じて、パルス電界にばく露したリンパ球のDNA損傷を増加させた一方、DNA修復の量は損傷に比例していた。
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