研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[NIH3T3細胞における細胞の形質転換に対する各種のストレス要因と60Hz電磁界ばく露の複合的な影響] med./bio.

Combined effects of 60 Hz electromagnetic field exposure with various stress factors on cellular transformation in NIH3T3 cells.

掲載誌: Bioelectromagnetics 2012; 33 (3): 207-214

研究目的(著者による)

腫瘍性NIH3T3細胞における細胞の形質転換に対する、超低周波磁界ばく露電離放射線過酸化水素、発がん遺伝子c-Myc活性化を含む各種のストレス要因との複合的な影響を調べること。

詳細情報

NIH3T3細胞は弱い発がん因子にさえも形質転換活性を示すことから、この細胞を用いた。

陽性対照として、ガンマ線を様々な線量(単回または分割線量として、0、0.5、1、2、4Gy)及び線量率3.81Gy/分で細胞照射した。H2O2 ばく露については、細胞をH2O2(0、50、100、150及び200mM)で4時間処理した。

共ばく露実験では、3つの条件を用いた:1) 細胞超低周波磁界に4時間ばく露、2) 細胞ガンマ線(2Gy)照射直後に超低周波磁界(1mT)に4時間ばく露、3) 細胞をH2O2(100µM)の存在下で超低周波磁界(1mT)に4時間ばく露

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 60 Hz
ばく露時間: continuous for 4 h

General information

Cells were treated in six groups: i) sham exposure ii) EMF exposure with 0.01, 0.5, 1 mT iii) ionizing gamma radiation iv) EMF exposure with 1 mT immediately after gamma radiation v) exposure to H2O2 vi) EMF exposure with 1 mT in the presence of H2O2

ばく露1

主たる特性
周波数 60 Hz
タイプ
  • magnetic field
ばく露時間 continuous for 4 h
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
ばく露装置の詳細 four square coils arranged on a 270 mm x 200 mm support forming a rectangular tower with three exposure layers: bottom, middle and top layer; inner coils with 11 turns, bottom and top coils with 26 turns; exposure system shielded with ferrite material and placed inside a CO2 incubator with a constant temperature of 37°C ±0.2°C; cells placed in 60 mm Petri dishes on the bottom, middle and top layer
Sham exposure A sham exposure was conducted.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 0.01 mT - 測定値 - -
磁束密度 0.5 mT - 測定値 - -
磁束密度 1 mT - 測定値 - -

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

超低周波磁界への4時間ばく露単独では、NIH3T3細胞の形質転換を生じなかった。更に、このイン・ビトロのアッセイでは、超低周波磁界ばく露は、電離放射線過酸化水素、または活性化したc-Mycの形質転換活性に影響力を及ぼさなかった。このことは、1mTの超低周波磁界は、電離放射線過酸化水素、または活性化したc-Myc等のストレス要因との組合せで、NIH3T3細胞に追加的または相乗的な形質転換活性を及ぼさないことを示唆している。

研究の種別:

研究助成

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