研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[ELF磁界は紫外線Bの誘発による細胞生存およびDNA損傷に影響しない] med./bio.

ELF magnetic fields do not affect cell survival and DNA damage induced by ultraviolet B

掲載誌: Bioelectromagnetics 2014; 35 (2): 108-115

この研究は、紫外線B波(UV-B)にばく露した後の細胞の生存率、およびUV-B誘導のDNA損傷に対し、超低周波磁界(ELF MF)が修飾作用をもつか否かを調べた。試験した細胞は、いずれもヒト由来の形質転換細胞WI38VA13/2RAおよびXP2OS(SV) 細胞である。ELF MFばく露にはヘルムホルツコイルを用い、5mT、60 Hzの正弦波磁界ばく露を与えた。2種類の細胞それぞれに、UV-B(20-80 J/m2)照射に続いてELF MFの24時間ばく露(または擬似ばく露)を行った。生存率は、ELF MFばく露後に48時間培養してWSTアッセイにより調べた。DNA損傷は、ELF MFばく露終了後、ELISA法で定量化した。その結果、生存率は、ELF MFのばく露群と擬似ばく露群で有意差がなかった;UV-B誘導のDNA損傷も同様に両群で有意差がなかった、と報告している。

The detailed summary of this article is not available in your language or incomplete. Would you like to see a complete translation of the summary? Then please contact us →

研究目的(著者による)

To determine whether exposure of skin derived cells to an extremely low frequency magnetic field alters the cell viability and the DNA damage induced by ultraviolet B.

詳細情報

Xeroderma pigmentosum is a rare hereditary disease of the skin characterized by a low ability to repair DNA damage induced by ultraviolet radiation. The XP2OS(SV)-cell line was established from xeroderma pigmentosum skin. The W138VA13-cell line was used as a control group.
First, the cells were radiated with ultraviolet B of different intensities (0, 20, 40, 60 or 80 J/m²). Afterwards, the cells were exposed to an extremely low frequency field or sham exposed for 1, 3, or 24 hours.

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 60 Hz
ばく露時間: continuous for 1, 3 or 24 hours

ばく露1

主たる特性
周波数 60 Hz
タイプ
  • magnetic field
波形
  • sinusoidal
ばく露時間 continuous for 1, 3 or 24 hours
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
ばく露装置の詳細 exposure system consisted of CO2 incubator with a built-in magnetic field, constructed with Helmholtz coils (inner diameter 250 mm, length 160 mm, 128 turns), a slide regulator and a thermo controller; temperature in incubtaor: 37 ± 0.2°C; interior and exterieur were shielded by silicon steel and Permalloy C, respectively; direction of magnetic field was vertical
Sham exposure A sham exposure was conducted.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 5 mT - 測定値 - -
電界強度 0.047 V/m - 計算値 - cell culture dish (100 mm)
電界強度 0.007 V/m - 計算値 - 24-well plate

Reference articles

  • Sakurai T et al. (2004): [超低周波磁界はインスリノーマ株化細胞 RIN-mからのインシュリン分泌作用を減衰させる]
  • Miyakoshi J et al. (1996): [磁界(60 Hz、5 mT)ばく露は細胞の成長及びc-myc遺伝子発現に影響しない]
  • Misakian M et al. (1993): [磁界・電界を用いた試験管研究のための生物学的、物理学的、電気的パラメータ:入門書]

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

In both cell lines, ultraviolet radiation reduced the cell viability and induced DNA damage. However, no significant influence of magnetic field exposure on the cell viability and DNA damage was observed.
The data indicate that the exposure to extremely low frequency magnetic fields had no influence on the cell viability and the DNA damage induced by ultraviolet B.

研究の種別:

研究助成

関連論文