研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[間欠的な超低周波電磁界は量依存的にDNA損傷を生じる] med./bio.

Intermittent extremely low frequency electromagnetic fields cause DNA damage in a dose-dependent way.

掲載誌: Int Arch Occup Environ Health 2003; 76 (6): 431-436

研究目的(著者による)

3人の健康な提供者から得たヒト線維芽培養細胞のDNA鎖切断誘導に対するばく露時間と磁束密度の影響力を調べること。

詳細情報

著者らは先行研究(publication 9089)で、50Hz磁界に間欠ばく露したヒト線維芽細胞におけるDNA一本鎖切断の増加を示した。電磁界によって生じたDNA損傷の程度はオン/オフ時間のセッティングに関連して変化し、「5分間オン/10分間オフ」で最大であった。

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 50 Hz
ばく露時間: intermittent, 5 min on/10 min off, for 1-24 h

ばく露1

主たる特性
周波数 50 Hz
タイプ
  • magnetic field
波形
  • sinusoidal
ばく露時間 intermittent, 5 min on/10 min off, for 1-24 h
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
  • 2 four coil systems each of which placed inside a µ-metal box
チャンバの詳細 Exposure chamber placed inside a commercial incubator.
ばく露装置の詳細 35 mm Petri dishes placed inside the µ-box.
Sham exposure A sham exposure was conducted.
Additional information The currents in the bi-filar coils were switched parallel for field exposure or non-parallel for sham exposure.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 20 µT minimum 指定なし - -
磁束密度 1 mT maximum 指定なし - -

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

超低周波電磁界ばく露は量依存的及び時間依存的にDNA一本鎖切断及び二本鎖切断を生じた。影響は、ICNIRPガイドラインよりも十分に低い、磁束密度が35mT程度の低さで生じた。照射終了後、誘導された「コメットテイルファクター」は9時間以内に正常に戻った。

誘導されたDNA損傷熱作用によるものではなく、超低周波電磁界ばく露に対する環境閾値限度値について懸念を生じるものである。

研究の種別:

研究助成

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