研究のタイプ: 医学/生物学の研究 (experimental study)

[電磁界による生合成の刺激:連続および間欠ばく露時のc-myc遺伝子転写レベルの変化] med./bio.

Electromagnetic field stimulation of biosynthesis: changes in c-myc transcript levels during continuous and intermittent exposures.

掲載誌: Bioelectrochem Bioenerg 1996; 39 (2): 215-220

この研究は、60Hz電磁界(EM)の連続的ばく露および一回の限定的ばく露が、HL60細胞に与える影響を調べた。その結果、ばく露開始から20分後に、c-mycの転写物レベル増加がピークに達した;この転写物の対照レベルへの回復速度は、EMが20分後もオンのままであるか、オフにされるかによって変わった;オフにすると、EMばく露に反応したc-myc転写レベルの上昇状態の期間が3倍まで伸びた;最初の20分間ばく露後から一定間隔の時点でHL60細胞に対する2回目のばく露を行なった実験では、同じ振幅磁界ばく露では細胞は耐性を示し、異なる振幅(1回目より大または小)の磁界ばく露では細胞は再刺激応答を生じた、と報告している。

研究目的(著者による)

連続的(240時間まで)または間欠的(1回20分間)の電磁界ばく露がヒトの細胞における c-myc転写へのイン・ビトロでの影響を調査すること。

詳細情報

以下の方法で c-myc 転写レベルを更に分析した:1) 定常状態の転写レベルへの変化;2) 制御レベルへの復帰;3) 同じ、または異なる界強度の2度目の刺激の影響力;4) 不応期の発生;5) 「耐性獲得」の発生。

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 60 Hz
ばく露時間: 20 min or up to 240 min

ばく露1

主たる特性
周波数 60 Hz
タイプ
  • magnetic field
波形
  • sinusoidal
ばく露時間 20 min or up to 240 min
ばく露装置
ばく露の発生源/構造
ばく露装置の詳細 The magnetic field was generated by a pair of coils consisting of 164 turns of 19 gauge copper wire which was wound around a 13 x 14 cm Plexiglass form with in an 8 cm space. The exposure system was placed in a µ-metal container. The flasks were placed horizontally on a Plexiglass stand in an homogeneous area of the coil. sham exposure took place simultaneously in the same incubator which was also shielded with a µ-metal container.
Sham exposure A sham exposure was conducted.
パラメータ
測定量 種別 Method Mass 備考
磁束密度 0.8 µT - 測定値 - -
磁束密度 8 µT - 測定値 - -
磁束密度 80 µT - 測定値 - -
電界強度 11 µV/m - 計算値 - at 8 µT

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目/測定パラメータ/方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露中
  • ばく露後

研究の主なアウトカム(著者による)

連続ばく露は20分後に c-myc 転写のピークを生じ、60分で制御レベルに復帰した。対照的に、間欠ばく露された細胞での制御レベルへの復帰は3倍に延長された。
最初の20分間のばく露の後の2度目の電磁界刺激の影響も調べた。細胞は同じ界強度の2度目の刺激に対して不応となるが、異なる強度での刺激は再刺激応答を生じることが観察された。

研究の種別:

研究助成

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